RS-4800
Resistive Siliziumlegierung für die Herstellung durch thermische Vakuumabscheidung von thermisch stabilen, Dünnfilmwiderstandselemente und verschiedene Hilfsschichten von elektronischen Produkten verwendet,
Einstufung
| Land |
Abschnitt |
Kategorie |
| GUS, Russland, Ukraine |
Metalle und Legierungen |
Silizium |
Chemische Zusammensetzung
| Standard |
Si, % |
Cr, % |
C, % |
O, % |
N, % |
H, % |
|---|
| GOST 22025-76 |
50.617–53 |
47–49 |
< 0.06 |
< 0.3 |
< 0.02 |
< 0.003 |
Informationen zum Lieferanten
Physikalische Eigenschaften
| Temperatur, °C |
$$\rho$$, $$\frac{kg}{m^3}$$ |
$$R\cdot 10^{-6}$$, $$\Omega\cdot m$$ |
|---|
| 20 |
4600–4700 |
0.25–0.35 |
Gieß- und Verarbeitungsparameter
| die Schmelztemperatur, °C |
|---|
| 1550 |
Standards
Beschreibung der chemischen Elemente
| Element |
Maßeinheiten |
Beschreibung |
| Si |
% |
Silizium |
| Cr |
% |
Chrom |
| C |
% |
Kohlenstoff |
| O |
% |
Sauerstoff |
| N |
% |
Stickstoff |
| H |
% |
Wasserstoff |
Beschreibung der physikalischen Eigenschaften
| Parameter |
Maßeinheiten |
Beschreibung |
| $$\rho$$ |
$$\frac{kg}{m^3}$$ |
Die Dichte des Materials |
| $$R\cdot 10^{-6}$$ |
$$\Omega\cdot m$$ |
Elektrischer spezifischer Widerstand |
Beschreibung Gießerei-Prozessparametern
| Parameter |
Maßeinheiten |
Beschreibung |
| die Schmelztemperatur |
°C |
Die Temperatur, bei der Feste Kristalline Körper einen übergang in den flüssigen Zustand und Umgekehrt |